PDTC115EMB,315
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PDTC115EMB,315

NXP Semiconductors

Produit non:

PDTC115EMB,315

Forfait:

DFN1006B-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

PDTC115E - NPN RESISTOR-EQUIPPED

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Frequency - Transition 230 MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 20 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V
Supplier Device Package DFN1006B-3
Series -
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package / Case SC-101, SOT-883
Power - Max 250 mW
Mfr NXP Semiconductors
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Package Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Base Product Number PDTC115