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PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
Produit non:
PDTB113ZS,126
Fabricant:
Forfait:
TO-92-3
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Series | - |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Power - Max | 500 mW |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Package | Tape & Box (TB) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Base Product Number | PDTB113 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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