NXPSC08650BJ
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NXPSC08650BJ

WeEn Semiconductors

Produit non:

NXPSC08650BJ

Forfait:

D2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Supplier Device Package D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr 230 µA @ 650 V
Series -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A
Mfr WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 8A
Operating Temperature - Junction 175°C (Max)
Base Product Number NXPSC