NXH010P120MNF1PTG
onsemi
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NXH010P120MNF1PTG
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Description:
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4707pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 454nC @ 20V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Series | - |
| Package / Case | Module |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 250W (Tj) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Mfr | onsemi |
| Package | Tray |
| Base Product Number | NXH010 |
.JPG)
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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