NX2301P,215
detaildesc

NX2301P,215

NXP Semiconductors

Produit non:

NX2301P,215

Forfait:

SOT-23

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

20 V, 2 A P-CHANNEL TRENCH MOSFE

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 6 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Mfr NXP Semiconductors
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Bulk