NVD4809NHT4G
onsemi
Produit non:
NVD4809NHT4G
Fabricant:
Forfait:
DPAK-3
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK-3
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2155 pF @ 12 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 11.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 58A (Tc) |
| Mfr | onsemi |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | NVD480 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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