NVB5860NT4G
detaildesc

NVB5860NT4G

onsemi

Produit non:

NVB5860NT4G

Fabricant:

onsemi

Forfait:

D²PAK

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10760 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 283W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number NVB586