NP80N04NDG-S18-AY

NEC Corporation

Produit non:

NP80N04NDG-S18-AY

Fabricant:

Forfait:

TO-262

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Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

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En stock : 1900

Minimum: 1 Multiples: 1

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Operating Temperature	175°C
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package	TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta), 115W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Mfr	NEC Corporation
Vgs (Max)	±20V
Package	Tube