MSCDC100KK170D1PAG
Microchip Technology
Produit non:
MSCDC100KK170D1PAG
Fabricant:
Forfait:
D1P
Lot:
-
Fiche technique:
-
Description:
PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
Quantité:
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En stock : 4
Minimum: 1 Multiples: 1
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | D1P |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 1700 V |
| Series | - |
| Package / Case | Module |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 100 A |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Mfr | Microchip Technology |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Package | Box |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100A |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Base Product Number | MSCDC100 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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