MBR40035CTR
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MBR40035CTR

GeneSiC Semiconductor

Produit non:

MBR40035CTR

Forfait:

Twin Tower

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Supplier Device Package Twin Tower
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 mA @ 35 V
Series -
Package / Case Twin Tower
Technology Schottky, Reverse Polarity
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 700 mV @ 200 A
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Mfr GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35 V
Package Bulk
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Base Product Number MBR40035