IXTR200N10P
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IXTR200N10P

IXYS

Produit non:

IXTR200N10P

Fabricant:

IXYS

Forfait:

ISOPLUS247™

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series Polar
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXTR200