IXTP32P20T
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IXTP32P20T

IXYS

Produit non:

IXTP32P20T

Fabricant:

IXYS

Forfait:

TO-220-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14500 pF @ 25 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series TrenchP™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXTP32