IXTI12N50P
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IXTI12N50P

IXYS

Produit non:

IXTI12N50P

Fabricant:

IXYS

Forfait:

TO-262 (I2PAK)

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 500V 12A TO262

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1830 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXTI12