IXTA6N50D2
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IXTA6N50D2

IXYS

Produit non:

IXTA6N50D2

Fabricant:

IXYS

Forfait:

TO-263AA

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 500V 6A TO263

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Depletion Mode
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 3A, 0V
Supplier Device Package TO-263AA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Series Depletion
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Package Tube
Base Product Number IXTA6