IXFP7N100P
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IXFP7N100P

IXYS

Produit non:

IXFP7N100P

Fabricant:

IXYS

Forfait:

TO-220-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2590 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Series HiPerFET™, Polar
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXFP7N100