IXFN90N170SK

IXYS

Produit non:

IXFN90N170SK

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SOT-227B

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SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7340 pF @ 1000 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	376 nC @ 20 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 100A, 20V
Supplier Device Package	SOT-227B
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 36mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	SOT-227-4, miniBLOC
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	+20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube
Base Product Number	IXFN90