IXFC20N80P
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IXFC20N80P

IXYS

Produit non:

IXFC20N80P

Fabricant:

IXYS

Forfait:

ISOPLUS220™

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4680 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 166W (Tc)
Package / Case ISOPLUS220™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXFC20N80