IXFB90N85X

IXYS

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IXFB90N85X

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PLUS264™

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MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13300 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	340 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	850 V
Series	HiPerFET™, Ultra X
Power Dissipation (Max)	1785W (Tc)
Package / Case	TO-264-3, TO-264AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFB90