IXFB150N65X2
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IXFB150N65X2

IXYS

Produit non:

IXFB150N65X2

Fabricant:

IXYS

Forfait:

PLUS264™

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20400 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package PLUS264™
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series HiPerFET™, Ultra X2
Power Dissipation (Max) 1560W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXFB150