IV1D12010T2
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IV1D12010T2

Inventchip

Produit non:

IV1D12010T2

Fabricant:

Inventchip

Forfait:

TO-247-2

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 575pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Supplier Device Package TO-247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V
Series -
Package / Case TO-247-2
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 10 A
Mfr Inventchip
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Package Tube
Current - Average Rectified (Io) 30A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C