IRFD320PBF
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IRFD320PBF

Vishay Siliconix

Produit non:

IRFD320PBF

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

4-HVMDIP

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 210mA, 10V
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Series -
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 490mA (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IRFD320