IRFD110
Vishay Siliconix
Produit non:
IRFD110
Fabricant:
Forfait:
4-HVMDIP
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 600mA, 10V |
| Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | IRFD110 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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