IRF9952
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IRF9952

Infineon Technologies

Produit non:

IRF9952

Forfait:

8-SO

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Series HEXFET®
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 2W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A, 2.3A
Mfr Infineon Technologies
Package Tube
Base Product Number IRF995