IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies
Produit non:
IPG20N06S3L-35
Fabricant:
Forfait:
PG-TDSON-8-4
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 15µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Series | OptiMOS™ |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 30W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | IPG20N |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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