GB25MPS17-247
GeneSiC Semiconductor
Produit non:
GB25MPS17-247
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Forfait:
TO-247-2
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
DIODE SIL CARB 1.7KV 52A TO247-2
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 2350pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1700 V |
| Series | SiC Schottky MPS™ |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 25 A |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Package | Tube |
| Current - Average Rectified (Io) | 52A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | GB25MPS17 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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