G5S12020B
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G5S12020B

Global Power Technology-GPT

Produit non:

G5S12020B

Forfait:

TO-247AB

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Supplier Device Package TO-247AB
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V
Series -
Package / Case TO-247-3
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Mfr Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Package Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 33A (DC)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C