FQT5P10TF
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FQT5P10TF

onsemi

Produit non:

FQT5P10TF

Fabricant:

onsemi

Forfait:

SOT-223-4

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number FQT5P10