FQPF3N80CYDTU
onsemi
Produit non:
FQPF3N80CYDTU
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Forfait:
TO-220F-3 (Y-Forming)
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Series | QFET® |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Mfr | onsemi |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tube |
| Base Product Number | FQPF3 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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