FN4L4M-T1B-A
Renesas Electronics Corporation
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FN4L4M-T1B-A
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Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 250µ, 5mA |
| Resistor - Base (R1) | 22 Ohms |
| Product Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Power - Max | 200 mW |
| Mfr | Renesas Electronics America Inc |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 Ohms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Package | Box |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 5mA, 5V |
| Base Product Number | FN4L4M |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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