FDZ3N513ZT
onsemi
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FDZ3N513ZT
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Forfait:
4-WLCSP (0.96x0.96)
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 85 pF @ 15 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 462mOhm @ 300mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | 4-WLCSP (0.96x0.96) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLCSP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Mfr | onsemi |
| Vgs (Max) | +5.5V, -0.3V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3.2V, 4.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | FDZ3N |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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