FDP33N25
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FDP33N25

onsemi

Produit non:

FDP33N25

Fabricant:

onsemi

Forfait:

TO-220-3

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2135 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 16.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Series UniFET™
Power Dissipation (Max) 235W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number FDP33