FDC636P
onsemi
Produit non:
FDC636P
Fabricant:
Forfait:
SuperSOT™-6
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 10 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Mfr | onsemi |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | FDC636 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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