FCD360N65S3R0
onsemi
Produit non:
FCD360N65S3R0
Fabricant:
Forfait:
D-PAK (TO-252)
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 400 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Series | SuperFET® III |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Mfr | onsemi |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | FCD360 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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