EPC2206

EPC

Produit non:

EPC2206

Fabricant:

Forfait:

Die

Lot:

Fiche technique:

Description:

GANFET N-CH 80V 90A DIE

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : 81124

Minimum: 1 Multiples: 1

Qté

Prix unitaire

Prix Ext

Pas le prix que vous voulez? Envoyez RFQ maintenant et nous vous contacterons dès que possible.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1940 pF @ 40 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 29A, 5V
Supplier Device Package	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 13mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	eGaN®
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	Die
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Ta)
Mfr	EPC
Vgs (Max)	+6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)