EPC2101ENGRT
EPC
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EPC2101ENGRT
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Forfait:
Die
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Series | eGaN® |
| Package / Case | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Power - Max | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| Mfr | EPC |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | EPC210 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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