CSICD10-1200 BK
Central Semiconductor Corp
Produit non:
CSICD10-1200 BK
Fabricant:
Forfait:
DPAK
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Mfr | Central Semiconductor Corp |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Package | Bulk |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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