CSD25301W1015
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CSD25301W1015

Texas Instruments

Produit non:

CSD25301W1015

Forfait:

6-DSBGA (1x1.5)

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package 6-DSBGA (1x1.5)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series NexFET™
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 6-UFBGA, DSBGA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
Mfr Texas Instruments
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number CSD2530