BUK9E08-55B,127
NXP Semiconductors
Produit non:
BUK9E08-55B,127
Fabricant:
Forfait:
I2PAK
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5280 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Power Dissipation (Max) | 203W (Tc) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Mfr | NXP Semiconductors |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Package | Bulk |
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