APTM120A80FT1G
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APTM120A80FT1G

Microsemi Corporation

Produit non:

APTM120A80FT1G

Forfait:

SP1

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6696pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package SP1
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Series -
Package / Case SP1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 357W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A
Mfr Microsemi Corporation
Package Bulk
Base Product Number APTM120