APT20SCD120B
Microsemi Corporation
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APT20SCD120B
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-
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-
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Description:
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 68A
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 1135pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | - |
| Product Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 400 µA @ 1200 V |
| Series | - |
| Package / Case | - |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
| Mfr | Microsemi Corporation |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Package | Tube |
| Current - Average Rectified (Io) | 68A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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