2SK3662(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produit non:

2SK3662(F)

Fabricant:

Forfait:

TO-220NIS

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Fiche technique:

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MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5120 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package	TO-220NIS
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	U-MOSIII
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Ta)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Bulk
Base Product Number	2SK3662