2SJ681(Q)
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2SJ681(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produit non:

2SJ681(Q)

Forfait:

PW-MOLD2

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD2

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package PW-MOLD2
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series -
Power Dissipation (Max) 20W (Ta)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Package Bulk
Base Product Number 2SJ681