19MT050XF
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19MT050XF

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produit non:

19MT050XF

Forfait:

16-MTP

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 4 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package 16-MTP
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Series HEXFET®
Package / Case 16-MTP Module
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 1140W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A
Mfr Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Package Bulk
Base Product Number 19MT050