SUP60030E-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SUP60030E-GE3

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

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Descripción:

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7910 pF @ 40 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	141 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Bulk
Base Product Number	SUP60030