SUP25P10-138-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SUP25P10-138-GE3

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.8mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16.3A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	SUP25