SUD50N03-06AP-T4E3

Vishay Siliconix

Producto No:

SUD50N03-06AP-T4E3

Fabricante:

Paquete:

TO-252

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 90A TO252

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3800 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	10W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SUD50