SQD10950E_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQD10950E_GE3

Fabricante:

Paquete:

TO-252AA

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	785 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	162mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	62W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQD10950