SQ4470EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQ4470EY-T1_GE3

Fabricante:

Paquete:

8-SOIC

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3165 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	7.1W (Tc)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQ4470