SQ2337ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQ2337ES-T1_GE3

Fabricante:

Paquete:

SOT-23-3 (TO-236)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 30 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQ2337