SISH615ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SISH615ADN-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® 1212-8SH

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 74347

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5590 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	183 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22.1A (Ta), 35A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISH615